Hasta el modelo más básico de la serie Galaxy S26 vendría con 12GB de memoria RAM para un mejor rendimiento.

Samsung prepara una mejora clave en la serie Galaxy S26: un aumento en la velocidad de la memoria RAM. Aunque la capacidad seguirá en 12 GB, la velocidad pasará de 9.6 a 10.7 Gbps. Esta mejora representa un salto superior al 10% respecto a la generación anterior. El cambio busca optimizar el rendimiento en tareas exigentes como grabación de video o procesamiento de inteligencia artificial.
La información proviene del filtrador Ice Universe, conocido por adelantar detalles técnicos de productos Samsung. Inicialmente se pensaba que esta mejora sería exclusiva del modelo Ultra, pero ahora se extendería a toda la serie. El nuevo estándar coincide con la velocidad máxima de los chips LPDDR5X fabricados por Samsung Semiconductor. Esto sugiere que la compañía usará componentes propios en lugar de proveedores como Micron.
El aumento de velocidad no implica un cambio en la cantidad de memoria, que se mantendrá en 12 GB. Sin embargo, se espera una mejora notable en fluidez general y eficiencia energética. Esta optimización también beneficiaría el rendimiento en juegos y aplicaciones de edición multimedia. Samsung aún no confirma si la velocidad será igual en modelos con procesador Exynos y Snapdragon.
El Galaxy S26 y S26+ usarán el Exynos 2600 en la mayoría de los mercados, excepto en Estados Unidos. El modelo Ultra incluirá el Snapdragon 8 Gen 5 de forma global, como ya ocurrió en generaciones anteriores. El evento Unpacked se realizará en febrero, donde se presentará oficialmente toda la serie. La mejora en la RAM será uno de los pilares técnicos del nuevo Galaxy S26.