Lo nuevo de SK Hynix llega para ofrecer más velocidad y eficiencia para smartphones de próxima generación.
SK Hynix ha marcado un nuevo hito en el sector del almacenamiento móvil al presentar el primer chip UFS 4.1 del mundo con tecnología NAND flash de 321 capas, superando las 238 capas de la generación anterior. Este avance no solo mejora considerablemente el rendimiento, sino que también reduce el grosor del chip a solo 0,85 mm, un factor clave para los smartphones ultradelgados.
En cifras, el nuevo UFS 4.1 ofrece una velocidad de lectura secuencial de 4,3 GB/s, el máximo permitido por esta interfaz, además de un incremento del 15% en lectura aleatoria y un 40% en escritura aleatoria. También es 7% más eficiente energéticamente, lo que se traduce en menor calor y mejor rendimiento sostenido.
Estas mejoras impactan directamente en el uso de herramientas de inteligencia artificial dentro del dispositivo, ya que permiten cargar modelos en RAM de forma más rápida y mejorar la multitarea, optimizando la experiencia de usuario en los móviles más avanzados.
El nuevo almacenamiento estará disponible en versiones de 512 GB y 1 TB, dejando fuera la opción de 256 GB, lo que sugiere que los smartphones con chips de gama alta en 2025 apostarán por mayores capacidades de almacenamiento. Los modelos más accesibles, en cambio, seguirán utilizando estándares anteriores como UFS 3.1.
SK Hynix también trabaja en llevar esta tecnología de 321 capas a unidades SSD, tanto para usuarios finales como para centros de datos, reforzando su liderazgo en soluciones de alto rendimiento y bajo consumo energético.
