El objetivo es ofrecer una alternativa a la DRAM con hasta cuatro veces más capacidad y un coste por bit aproximadamente 50% menor, aunque todavía no existe una fecha de lanzamiento comercial.
SanDisk ha fabricado y encapsulado los primeros chips de prueba de su tecnología 3D Matrix Memory sobre obleas de silicio de 300 mm.
La 3D Matrix Memory se desarrolla desde 2017 como una nueva clase de memoria situada entre la DRAM y la memoria flash NAND. En lugar de depender de una estructura convencional, utiliza una arquitectura tridimensional de matrices apiladas.
SanDisk afirma que esta tecnología podría acercarse al rendimiento de la DRAM, pero con una densidad mucho mayor. Su objetivo máximo es alcanzar hasta cuatro veces la capacidad de la DRAM manteniendo un coste por bit equivalente a aproximadamente la mitad.
Los nuevos prototipos se fabricaron sobre obleas estándar de 300 mm y posteriormente se encapsularon para realizar pruebas adicionales. SanDisk ya ha demostrado matrices de memoria funcionales con capacidades de varios gigabits.
La empresa asegura que el rendimiento de los prototipos se aproxima a las especificaciones previstas para el producto final. Esto representa un avance importante frente a las primeras pruebas de laboratorio, aunque todavía queda un largo camino antes de la producción masiva.
SanDisk describe la 3D Matrix Memory como un proyecto de largo plazo y no ha anunciado una fecha comercial. Una hoja de ruta anterior contemplaba muestras de 32 y 64 gigabits, pero no indicaba cuándo estarían disponibles.
Para llegar a productos comerciales, la compañía deberá mejorar la fabricación, aumentar la capacidad, comprobar la fiabilidad a largo plazo y demostrar que el coste puede mantenerse por debajo del de la DRAM convencional.
Esta memoria podría utilizarse como una capa intermedia en centros de datos y sistemas de inteligencia artificial. Entre sus posibles aplicaciones se encuentran:
No competiría necesariamente con la HBM en ancho de banda máximo. Su ventaja principal sería ofrecer más capacidad a menor coste, funcionando como una capa adicional entre la memoria ultrarrápida y el almacenamiento.
SanDisk también trabaja en High Bandwidth Flash, una tecnología distinta que apila chips NAND convencionales para aumentar el ancho de banda. Este proyecto está más cerca de la comercialización: su primer diseño ya habría completado la fase de tape-out y las primeras muestras de validación se esperan para 2027.
La 3D Matrix Memory sigue siendo principalmente un proyecto de investigación, pero la fabricación de prototipos multicapa en obleas de 300 mm demuestra que SanDisk ya ha superado una etapa técnica relevante.
