Samsung exhibe sus memorias de próxima generación HBM4E con velocidades de dieciséis gigabits por pin y su nuevo método de ensamblaje en capas
Samsung presentó en NVIDIA GTC 2026 su nueva memoria HBM4E, diseñada para entornos de IA que exigen mayor ancho de banda y densidad de integración. El anuncio se enmarca además en una exhibición más amplia de componentes para infraestructura de IA desarrollados para plataformas vinculadas a NVIDIA.
Este componente alcanza velocidades de transmisión de 16 Gbps por pin. Además, su diseño interno le permite entregar un ancho de banda total de 4.0 TB/s.
La fabricación de este hardware incluye un método de unión híbrida de cobre. Esta técnica facilita la superposición de 16 o más capas de silicio dentro de un mismo encapsulado de alta densidad.
El uso de esta técnica reduce la resistencia térmica del módulo en más de 20%. Samsung establece esa comparación frente a los métodos tradicionales de thermal compression bonding (TCB).
El fabricante también confirmó la producción masiva de la sexta generación de memorias HBM4. Estas unidades operan a velocidades de 11.7 Gbps, diseñadas específicamente para integrarse en la plataforma NVIDIA Vera Rubin.
La exhibición también incluyó la presentación de los módulos SOCAMM2 basados en memoria de bajo consumo energético. Estos componentes de servidor ofrecen alta capacidad de transferencia y flexibilidad técnica para la integración en infraestructuras de próxima generación.
En el booth estaban presentes sus unidades de almacenamiento sólido PM1763 bajo la reciente interfaz PCIe 6.0. Este estándar de conexión asegura transferencias de información rápidas y amplias capacidades operativas para el manejo de flujos de trabajo.
El otro eje del anuncio aparece así como complemento técnico del lanzamiento. Samsung no mostró solo HBM4E, sino también un conjunto de piezas para memoria, servidor y almacenamiento orientadas a sistemas de IA construidos sobre infraestructura NVIDIA.
