Samsung alista su planta P5 con nueva capacidad EUV para sostener el avance de DRAM 1c y HBM4 en su estrategia de memoria de alto rendimiento.
Samsung y AMD firmaron un MOU para colaborar en HBM4, DDR5 y la GPU AMD Instinct MI455X para infraestructura de IA.
Micron inicia la producción de memoria HBM4, SSD PCIe Gen6 y módulos SOCAMM2 para potenciar los centros de datos de IA NVIDIA Vera Rubin.
Samsung exhibe sus memorias de próxima generación HBM4E con velocidades de dieciséis gigabits por pin y su nuevo método de ensamblaje en capas
El próximo Super Chip Vera Rubirn elevaría velocidad y capacidad de memoria, con SK Hynix aún en fase final de validación.
Las nuevas memorias de Samsung y SK Hynix llegarán a tarjetas gráficas, laptops y también a los centros de datos.