Qualcomm presenta su nuevo silicio HBC para eliminar los cuellos de botella de memoria en inteligencia artificial hacia el 2028.
Samsung alista su planta P5 con nueva capacidad EUV para sostener el avance de DRAM 1c y HBM4 en su estrategia de memoria de alto rendimiento.
Samsung y AMD firmaron un MOU para colaborar en HBM4, DDR5 y la GPU AMD Instinct MI455X para infraestructura de IA.
Micron inicia la producción de memoria HBM4, SSD PCIe Gen6 y módulos SOCAMM2 para potenciar los centros de datos de IA NVIDIA Vera Rubin.
Samsung exhibe sus memorias de próxima generación HBM4E con velocidades de dieciséis gigabits por pin y su nuevo método de ensamblaje en capas
El próximo Super Chip Vera Rubirn elevaría velocidad y capacidad de memoria, con SK Hynix aún en fase final de validación.
Las nuevas memorias de Samsung y SK Hynix llegarán a tarjetas gráficas, laptops y también a los centros de datos.