Samsung estrenará una nueva tecnología de alta velocidad de memorias de 128GB, en sus teléfonos móviles insignias, el Galaxy S6 y el Galaxy S6 Edge.
Samsung lanzará nueva en tecnología de memoria de alta velocidad. El nuevo módulo de memoria tendría una capacidad de 128gb capaz de soportar mas de 6.000 IOPS (operaciones de entrada/salida de datos por segundo) en lectura y más de 5.000 IOPS en escritura; soportando videos de alta definición.
Esta memoria de alta velocidad esta basada en tecnología UFS 2.0 (Universal Flash Storage), cuyo estreno serán en los flamantes Galaxy S6 y S6 Edge, no obstante, aún no sabemos como funcionan, pero Samsung estima que el usuario quedará fascinado.
La compañía coreana también lanzará una tecnología eMMC 5.0 (chips 3-bits NAND) que es más accesible, pero a su vez, más lento que el mencionado anteriormente. No obstante, será más veloz que los actuales chips (que solo son capaces de ofrecer velocidades cercanas a 260 MB/s en lectura secuencial). Sin embargo, no disponemos de mayor información sobre lo indicado, ya que no sabemos cuando saldrá, si solo quedará para uso interno, o bien como un desarrollo sin explotar.
Solo tenemos que esperar a poder probar esta poderosa memoria y darnos cuenta que tan eficaz puede ser la UFS 2.0, tal como menciona el vicepresidente de la división de memoria de Samsung, Dr. Jung-bae lee:
Estamos mejorando continuamente nuestras generaciones de productos de almacenamiento para dispositivos móviles, ofreciendo mejor rendimiento y mayor densidad para poder satisfacer las necesidades del consumidor de la industria actual.
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