Samsung lanzará nueva en tecnología de memoria de alta velocidad. El nuevo módulo de memoria tendría una capacidad de 128gb capaz de soportar mas de 6.000 IOPS (operaciones de entrada/salida de datos por segundo) en lectura y más de 5.000 IOPS en escritura; soportando videos de alta definición.
Esta memoria de alta velocidad esta basada en tecnología UFS 2.0 (Universal Flash Storage), cuyo estreno serán en los flamantes Galaxy S6 y S6 Edge, no obstante, aún no sabemos como funcionan, pero Samsung estima que el usuario quedará fascinado.
La compañía coreana también lanzará una tecnología eMMC 5.0 (chips 3-bits NAND) que es más accesible, pero a su vez, más lento que el mencionado anteriormente. No obstante, será más veloz que los actuales chips (que solo son capaces de ofrecer velocidades cercanas a 260 MB/s en lectura secuencial). Sin embargo, no disponemos de mayor información sobre lo indicado, ya que no sabemos cuando saldrá, si solo quedará para uso interno, o bien como un desarrollo sin explotar.
Solo tenemos que esperar a poder probar esta poderosa memoria y darnos cuenta que tan eficaz puede ser la UFS 2.0, tal como menciona el vicepresidente de la división de memoria de Samsung, Dr. Jung-bae lee:
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Estamos mejorando continuamente nuestras generaciones de productos de almacenamiento para dispositivos móviles, ofreciendo mejor rendimiento y mayor densidad para poder satisfacer las necesidades del consumidor de la industria actual.
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