El próximo Super Chip Vera Rubirn elevaría velocidad y capacidad de memoria, con SK Hynix aún en fase final de validación.
NVIDIA habría seleccionado a Samsung y SK hynix como proveedoras de memoria HBM4 para Vera Rubin, su plataforma más nueva de aceleración para IA; y Micron, en cambio, no aparece dentro del suministro principal descrito en la información publicada en del medio Coreano Hankyung.
La memoria HBM4 es la siguiente generación de High Bandwidth Memory, con chips DRAM apilados verticalmente vía TSV para ultra-alto rendimiento en IA. Duplica el ancho de banda de HBM3E a >2 TB/s por stack con 2048 I/O y mayor a 10 Gbps por pin. Mejora eficiencia energética >40% vía procesos 1bnm y MR-MUF, superando JEDEC (8 Gbps), para resolver cuellos de botella en data centers y AI.
El medio destaca que Vera Rubin sería mostrado por primera vez el 16 de marzo en GTC 2026 y que su lanzamiento comercial se movería a la segunda mitad del año. Para esa plataforma, NVIDIA habría pedido HBM4 con velocidades superiores a 10 Gbps , por encima de los 8 Gbps por segundo fijados por JEDEC.
Vera Rubin integraría 16 pilas HBM4 con una capacidad total de 576 GB, por encima de los 432 GB atribuidos al futuro MI450 de AMD.
Samsung Foundry aparece como la empresa más adelantada, ya que habría superado en la práctica las pruebas para variantes de 10 y 11 Gbps, y que incluso inició despachos limitados de producto terminado hacia NVIDIA durante febrero.
SK Hynix, por su parte, seguiría ajustando su HBM4 para cerrar la validación de la variante de 11 Gbps. Micron no quedaría fuera de toda la familia Rubin, pero su participación se movería hacia un acelerador de gama media dentro de esa serie.
