Descubre cómo la nueva memoria BiCS10 QLC de Kioxia y Sandisk revoluciona el almacenamiento con 332 capas y gran densidad tecnológica.
Las compañías Kioxia y Sandisk han aprovechado la reciente edición de la feria FMS 2026 para revelar al mundo las versiones TLC y QLC de su esperada memoria BiCS10 QLC. No estamos frente a otra tecnología de almacenamiento tridimensional con algunas capas adicionales, sino ante un asombroso chip de 2 TB con la capacidad de guardar cuatro bits por celda.
Además, este avanzado componente logra apilar 332 capas y alcanza una densidad récord de 37,6 Gb/mm², convirtiéndose en la cifra más alta anunciada para este tipo de formato en toda la industria de los semiconductores, superando incluso las recientes propuestas de competidores directos como SK hynix.
El aspecto más relevante de esta presentación es la notable mejora frente a sus predecesoras directas, ya que ambas compañías destacan un aumento de hasta un 60% en densidad respecto a la octava generación.
Este importante salto técnico permitirá a los fabricantes construir unidades de estado sólido de enorme capacidad, entregando una mayor cantidad de terabytes utilizando considerablemente menos silicio y reduciendo el número total de matrices necesarias por cada disco comercializado.
Lo fundamental de estas nuevas soluciones de almacenamiento es que mantienen la reconocida arquitectura donde la matriz lógica y la oblea de memoria se fabrican por separado para luego unirse mediante un proceso de ensamblaje directo.
Esta separación estratégica permite optimizar cada fase del diseño y aprovechar mejor el área disponible, algo que esta generación lleva al extremo mediante una novedosa organización de 6 planos alineados, sustituyendo las antiguas distribuciones para recortar el espacio ocupado por las conexiones.
Para mantener la estabilidad eléctrica en esta reducida superficie, la empresa ha añadido una capa metálica exclusiva para distribuir la energía y ha reservado circuitos aislados para las conexiones más sensibles.
El rendimiento también ha recibido un trabajo excepcional por parte de los ingenieros, logrando una mejora superior al 4% en la velocidad de escritura y un rendimiento interno que supera los 85 MB/s por die en el QLC, mientras que la interfaz principal aumenta su capacidad aprovechando el moderno protocolo de transferencia rápida.
Sumado a esto, se han integrado técnicas de reposo inteligente que obligan a los chips inactivos a reducir drásticamente su consumo eléctrico, enfocando esta poderosa tecnología principalmente hacia plataformas de inteligencia artificial y masivos centros de datos. Por lo que todavía tardaremos algunos años en verla implementada de forma estandarizada en nuestro computador personal.
Las siglas QLC corresponden a Quad-Level Cell, lo que en español se traduce directamente como celda de cuatro niveles. Esta moderna tecnología de almacenamiento sólido permite guardar exactamente cuatro bits de información dentro de cada celda de memoria individual.
Esto aumenta drásticamente la capacidad total del componente sin tener que incrementar su tamaño físico, resultando en unidades de almacenamiento mucho más económicas y espaciosas para los usuarios que necesitan guardar grandes volúmenes de datos en su equipo de uso diario.
