Las primeras pruebas del Snapdragon X Elite han sido decepcionantes, desmintiendo las alentadoras cifras preliminares de Qualcomm.
Las primeras evaluaciones independientes del Snapdragon X Elite han sido decepcionantes, desmintiendo las alentadoras cifras preliminares de Qualcomm. Las pruebas internas de la compañía indicaban puntuaciones de 2.977 en mononúcleo y 15.086 en multinúcleo en Geekbench 6, creando altas expectativas para este nuevo SoC. No obstante, los resultados de evaluaciones imparciales han resultado significativamente menores.
El Samsung Galaxy Book 4 Edge, que incorpora el Snapdragon X Elite, alcanzó apenas 1.829 puntos en mononúcleo y 11.379 en multinúcleo en Geekbench 6. Estos resultados suponen una disminución del 62,77% en mononúcleo y del 32,58% en multinúcleo respecto a los datos preliminares de Qualcomm. De manera sorpresiva, en las pruebas de mononúcleo, el Snapdragon X Elite incluso se situó por debajo del iPhone 12 Mini, que logró 2.141 puntos con su chip A14 ya considerado antiguo.
La causa principal de esta discrepancia parece ser la gestión agresiva de la frecuencia del Snapdragon X Elite, que reduce significativamente la velocidad de operación para optimizar la vida útil de la batería. Durante las pruebas, el procesador no excedió los 2,52 GHz en modo turbo, aunque Qualcomm había declarado que podría llegar a los 4 GHz. Esta inconsistencia en el desempeño sugiere que el chip no es capaz de sostener frecuencias más elevadas de forma estable.
Además, otros portátiles con el Snapdragon X Elite han mostrado resultados insatisfactorios en Geekbench 6, con puntuaciones de un solo hilo alrededor de los 1.700 a 1.800 puntos. Esto confirma que los problemas de rendimiento no son únicos del Samsung Galaxy Book 4 Edge.
Será interesante ver cómo evoluciona esta situación con análisis más exhaustivos de dispositivos que integran el Snapdragon X Elite, un procesador que prometía mucho pero que, hasta el momento, no ha cumplido con las expectativas.
