Ambos procesadores estarían construidos en un proceso de 10nm.
Se han filtrado nueva información de sobre los próximos procesadores que nos preparan los fabricantes HiSilicon (Huawei) y Qualcomm, revelando sus supuestas especificaciones técnicas y posibles fechas de lanzamiento, aunque desde ya te advierto que esta información no es oficial, solo se basa en rumores.
Según lo informado por Gizmochina, un hoja de especificaciones filtrada ha revelado las especificaciones técnicas de los próximos procesadores HiSilicon Kirin 970 y Qualcomm Snapdragon 845. Según dicha hoja, estos procesadores serían construidos en un procesado de 10nm, pero el Kirin 970 será fabricado usando el proceso FinFET de TSMC, mientras que el Snapdragon 845 usaría el proceso de LPE de Samsung.
Como verás en la imagen anterior, el Snapdragon 845 contaría con ocho núcleos divididos en cuatro núcleos Cortex-A75 y otros cuatro núcleos Cortex-A53, acompañados de la GPU Adreno 630 y su posible fecha de lanzamiento sería para el primer trimestre del 2018.
Por otro lado el procesador Kirin 970 lo veríamos entre el tercer y cuarto trimestre del presente año, y destacará por incorporar la nueva generación de núcleos ARM Cortex-A73 y el primero en usar la nueva GPU Heimdallr MP (Heimdal).
Por el momento es toda la información que se maneja sobre estos procesadores que veremos presente en los próximos smartphones de gama alta.
