TSMC ha estado comparando sus nuevos nodos de procesos de 3NP y N2 con las tecnologías de 18A de Intel, afirmando que el 3NP posee algunas características mejoradas, mientras que su nodo de 2 nm superaría al de Intel en todos los aspectos en cuanto a ventajas de rendimiento, eficiencia y área (PPA).
“Nuestra evaluación interna muestra que nuestro N3P […] ha demostrado unas características [de potencia, rendimiento y área] comparables a las del 18A [de Intel], la tecnología de mi competidor, pero con un plazo de comercialización más corto, una mayor madurez tecnológica y un coste mucho mejor”, declaró C.C. Wei, director ejecutivo de TSMC, en la conferencia de resultados de la empresa (vía The Motley Fool). “De hecho, permítanme repetirlo una vez más, nuestra tecnología de 2nm sin retroalimentación (N2) es más avanzada que N3P y 18A, y será la tecnología más avanzada de la industria de semiconductores cuando se introduzca en 2025”.
La tecnología de fabricación 20A de Intel, que llegará en 2024, promete ser un gran avance en términos de innovaciones, ya que introducirá los transistores RibbonFET gate-all-around, así como la red de alimentación trasera (BSPDN), dos tecnologías diseñadas para permitir un mayor rendimiento, un menor consumo de energía y una mayor densidad de transistores. Mientras tanto, el nodo de producción 18A de Intel está diseñado para perfeccionar aún más las innovaciones de 20A y ofrecer nuevas mejoras de PPA ya a finales de 2024 – principios de 2025.
En cambio, los procesos de fabricación de 3 nm N3, N3E, N3P y N3X de TSMC se basan en transistores FinFET de eficacia probada y en la red de suministro de energía tradicional. La mayor fundición del mundo no parece tener prisa con sus transistores GAA de nanohoja y BSPDN, por lo que los primeros se introducirán en el nodo N2 de TSMC, que entrará en producción a gran volumen en la segunda mitad de 2025, mientras que los segundos se añadirán al N2P, que iniciará la producción en masa a finales de 2026.
Uno de los principales objetivos de Intel en los próximos años es superar a TSMC en liderazgo tecnológico y conseguir pedidos de fundición de empresas que necesitan nodos punteros. Para ello, Intel tiene previsto introducir tres procesos de fabricación avanzados en los próximos cinco trimestres e iniciar la producción en serie de sus tecnologías de fabricación de 2nm y 1,8nm en la segunda mitad de 2024 (o inicios de 2025). Sin embargo, TSMC cree que incluso su nodo N3P que se utilizará en 2025 ofrecerá un PPA comparable al 18A de Intel a un precio inferior, mientras que su N2 lo superará, aunque sea un año después de su entrada en el mercado.
Dado que TSMC no ha revelado demasiadas cifras sobre sus N3P y N2, es difícil sacar conclusiones sobre su capacidad competitiva frente a la 18A de Intel. Sin embargo, lo que sí se sabe es que los nodos de 3 nm de TSMC van a incorporar unos transistores FinFET, mientras los 2 nm de van a incorporar transistores GAA, con el que el fabricante intentará aumentar el rendimiento y la eficiencia de los chips en el futuro.
