Sony presentó el IMX711, un sensor CMOS de rayos X de conversión directa e integración de carga orientado a instrumentos de inspección y medición. El componente detecta rayos X de forma directa y entrega señales proporcionales a la energía recibida, con envío de producción masiva previsto para el primer trimestre del año fiscal 2026.
El Sony IMX711 mide energía integrada y datos de fotones en el mismo sensor
El IMX711 está orientado a sistemas de rayos X que necesitan distinguir mejor la energía que atraviesa el material analizado. El sensor combina la medición de energía integrada, útil para trabajar con un rango dinámico amplio, con información energética asociada a cada fotón detectado. Sony sostiene que esa doble capacidad es difícil de conseguir con sensores convencionales.
La firma nipona apunta a aplicaciones de inspección en baterías y semiconductores, junto con mediciones científicas vinculadas al desarrollo de materiales y a las ciencias de la vida.
Alta velocidad y bajo ruido para reducir límites de medición
Sony informa una tasa máxima de 26.100 fps, bajo la condición de lectura de todos los píxeles en Mode-A. La empresa califica esa cifra como la más rápida de la industria entre sensores CMOS de rayos X de integración de carga, según su propia investigación al 9 de junio de 2026.
El ruido típico declarado es de 34 e-rms, con un máximo funcional garantizado de 60 e-rms. Esta reducción busca mejorar la detección cuando llegan pocos fotones, mientras que la velocidad de lectura ayuda a controlar la saturación cuando la señal es intensa.
La energía de los fotones permite separar materiales en una imagen
Una de las aplicaciones descritas por Sony es el mapeo elemental, donde se distinguen fotones con distintos niveles de energía para representar una distribución bidimensional. La firma también menciona mediciones simultáneas de estructura cristalina y análisis elemental, combinando información espacial y energética.
El modelo técnico informado es IMX711-AABY, con tamaño diagonal de 59,8 mm, área de 27,88 mm por 52,85 mm y cerca de 0,28 megapíxeles. La celda mide 72,6 micrómetros por lado, el sustrato es de silicio, el grosor del sensor es de 650 micrómetros y la salida usa interfaz SLVS-EC.
El desarrollo se realizó en colaboración entre Sony Semiconductor Solutions y RIKEN. Según la información publicada, el sensor se basa en una estructura de píxel inventada por el doctor Takaki Hatsui, mientras Sony trabajó en tecnología de circuitos, procesos de fabricación y empaquetado para producción masiva.
