Samsung y SK Hynix presentan sus nuevas memorias HBM4, GDDR7 y LPDDR6

El consumo de memoria para los servicios y aplicaciones de inteligencia artificial es masivo. Tanto es así, que en el último tiempo los precios de las RAM han marcado una tendencia al alza, subiendo al doble su precio o incluso más. No obstante, Samsung y SK Hynix han presentado una nueva generación de memorias. Pues bien, se trata de las memorias de tipo HBM4, GDDR7 y LPDDR6 fabricadas por las empresas antes mencionadas. En este sentido, Samsung presenta sus nuevas HBM4 están destinadas para su uso en GPU de los centros de datos, y ahora cuentan con un ancho de banda que alcanza los 3.3 TB/s. A su vez, las memorias HBM4 usan la arquitectura Through-Silicon Via (TSV) mejorada y está basada en el proceso DRAM 1c de la compañía surcoreana. Por otra parte, también SK Hynix han presentado las memorias GDDR7, las que son usadas en las tarjetas gráficas de uso doméstico. Este tipo de memoria aumenta su densidad a 24 GB y posee un ancho de banda superior, alcanzando los 48 Gb/s. Lo anterior representa un incremento del 70% en la velocidad de transferencia en comparación a las memorias GDDR6. Según fuentes de la industria, las memorias de tipo GDDR7 podrían ser usadas por NVIDIA en un la próxima serie GeForce RTX 50 SUPER. Finalmente, SK Hynix también ha presentado las memorias de tipo LPDDR6. Las que están destinadas a laptops ultra delgadas y que vienen soldadas en la placa madre. Aquí la mejora concreta está en un aumento del ancho de banda de la memoria, el cual pasa de los actuales 9.6 Gb/s del LPDDR5, aumentando a 14.4 Gb/s de la nueva generación. Lo anterior siginifica un aumento del 50% de velocidad entre ambas generaciones. ¿Qué te parecen las nuevas generaciones de memorias de Samsung y SK Hynix? Fuente