Los surcoreanos de Samsung ya estarían trabajando en una nueva memoria RAM que alcanzaría los 16 GB de capacidad y velocidades de hasta 6.400 Mbps.
Esta nueva memoria vendría siendo la más avanzada hasta la fecha, ya que está basada en un proceso 1z y producida utilizando la tecnología EUV. Gracias a esto su velocidad es un 16% más rápida que la RAM usada en el reciente Galaxy Note 20 Ultra.
Esta técnica utiliza láseres y productos químicos sensibles a la luz para grabar el silicio. Este desarrollo es un avance en las capacidades de producción de memoria de Samsung, lo que no sólo le da una ventaja sobre sus rivales, sino que también despeja un gran obstáculo para el desarrollo.
Los nuevos chips de memoria llegan con un ancho de banda un 16 por ciento más rápido que los 12 GB de RAM anteriores vistos antes. El ancho de banda de memoria mejorado ahora alcanza hasta 6.400 Mbps, mientras que su tamaño también es un 30% menor.
Por el momento, se espera que veamos esta nueva memoria RAM en los próximos smartphones topes de línea de Samsung, como la próxima generación de la familia Galaxy S, así como también se espera que su propia competencia también los utilice.
