Samsung comenzó el envío de muestras HBM4E de 12 capas a clientes globales, con una memoria orientada a cargas de IA y sistemas de cómputo de alto rendimiento (HPC). La compañía ubica este avance después de la producción masiva y el despacho comercial de HBM4 realizados durante el mismo año.
HBM4E combina más ancho de banda, proceso 1c y base lógica de 4 nm
La HBM4E presentada por Samsung entrega una velocidad estable de 14 Gbps por pin, con escalabilidad de rendimiento hasta 16 Gbps. Según la firma, esa cifra representa un aumento superior al 20% frente a HBM4 y permite alcanzar hasta 3,6 TB/s de ancho de banda por pila.
Samsung también detalló que la versión inicial de 12 capas se ofrece con 48 GB de capacidad. La línea contempla configuraciones de 32 GB en 8 capas y 64 GB en 16 capas, según los requerimientos de sus clientes.
La nueva memoria utiliza el proceso DRAM de sexta generación clase 10 nanómetros de Samsung, identificado como 1c, junto con una base lógica de 4 nm desarrollada por Samsung Foundry. En eficiencia, Samsung declara una mejora de 16% frente a la generación anterior y una mejora superior a 14% en resistencia térmica.
La siguiente tabla resume los datos técnicos informados por Samsung para HBM4E:
