El fabricante de chips KIOXIA anunció hoy el inicio del muestreo a clientes de los nuevos dispositivos de memoria integrada Universal Flash Storage (UFS) versión 4.1 con tecnología de celda de cuatro niveles (QLC) de 4 bits por celda.
Diseñados para aplicaciones de lectura intensiva y necesidades de almacenamiento de alta capacidad, los nuevos dispositivos utilizan la tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH de 8ª generación de KIOXIA.
Así mismo, QLC UFS ofrece una mayor densidad de bits que TLC UFS tradicional, haciéndola ideal para aplicaciones móviles que requieren mayor capacidad de almacenamiento. Los avances en la tecnología de controladores y la corrección de errores han permitido que la tecnología QLC logre esto manteniendo un rendimiento competitivo.
Mejoras de rendimiento de las nuevas memorias de KIOXIA
Tomando en cuenta los avances mencionados anteriormente, los nuevos dispositivos KIOXIA logran aumentos sustanciales en el rendimiento. El QLC UFS de KIOXIA aumenta las velocidades de escritura secuencial en un 25%, mientras que las velocidades de lectura aleatoria en un 90%. Y las velocidades de escritura aleatoria en un 95% en comparación con la generación anterior (UFS 4.0/BiCS6 QLC UFS). El factor de amplificación de escritura (WAF) también se ha mejorado hasta 3.5 veces (con WriteBooster deshabilitado).
Las nuevas memorias son ideales para teléfonos inteligentes y tabletas de última generación. KIOXIA QLC UFS también es compatible con categorías de productos emergentes que exigen mayor capacidad y rendimiento, incluyendo PCs, dispositivos de red, AR/VR, IoT y dispositivos habilitados para IA.
En relación con este anuncio, Maitry Dholakia, vicepresidente de la Unidad de Negocio de Memoria de KIOXIA America, señaló:
«Kioxia continúa impulsando el desarrollo de la tecnología de memoria flash para satisfacer la creciente demanda de almacenamiento de mayor capacidad y alto rendimiento. Nuestros dispositivos QLC UFS 4.1 reflejan la innovación continua tanto en arquitectura como en diseño, lo que permite a nuestros clientes crear productos móviles y conectados cada vez más potentes».
Del mismo modo, las memorias estarán disponibles en capacidades de 512 GB y 1 TB, los nuevos dispositivos UFS 4.1 combinan la avanzada memoria flash BiCS FLASH 3D de KIOXIA y un controlador integrado en un paquete estándar JEDEC.
La memoria flash 3D BiCS FLASH de 8ª generación de KIOXIA introduce la tecnología CBA (CMOS directamente enlazado a la matriz), una innovación arquitectónica que marca un cambio radical en el diseño de memorias flash. Sus principales características incluyen:
- Compatible con la especificación UFS 4.1. la que a su vez, es compatible con versiones anteriores de UFS 4.0 y UFS 3.1.
- Memoria flash 3D KIOXIA BiCS FLASH 8ª generación.
- Compatibilidad con WriteBooster para velocidades de escritura significativamente más rápidas.
- Tamaño de paquete reducido en comparación con el QLC UFS anterior: 11×13 mm a 9×13 mm.
Aún es temprano para saber cuándo las nuevas memorias de KIOXIA estarán disponibles comercialmente. Sin embargo, esto es un avance, ya que con el primer muestreo a los clientes, indica que muy pronto podría comenzar el proceso de fabricación definitivo.
Recordemos que clientes como SANDISK, utilizan este tipo de memoria flash en sus unidades SSD. De hecho, a continuación te dejamos nuestro análisis del WD_Black SN8100 de 2TB con PCIe 5.0 que utiliza flash BiCS 8.
