Se espera que el fabricante chino CXMT comience la producción a gran escala de su primera memoria HBM3E antes de que finalice el año 2026, según reveló un reciente informe exclusivo de la agencia Reuters que proyecta el inicio oficial de estas operaciones dentro de los próximos dos meses.
Aunque la compañía ya había puesto en marcha una etapa preliminar de fabricación de prueba en agosto pasado, el proceso industrial continúa enfrentando dificultades importantes para conseguir una tasa de aprovechamiento óptima en sus módulos terminados.
Si bien todavía no se conocen las cifras exactas de desempeño de esta pieza en particular, los estándares oficiales de la organización JEDEC para este formato establecen una interfaz de 1.024 bits con velocidades que van desde los 9,2 Gbps hasta los 12,4 Gbps por pin, apuntando habitualmente a una media de 9,6 Gbps en la mayoría de las configuraciones comerciales.
Gracias a estas especificaciones técnicas, la tecnología logra alcanzar un ancho de banda total cercano a los 1,2 TB/s y ofrece capacidades que varían entre los 24 GB mediante pilas de 8 niveles y los 36 GB cuando se ensamblan 12 capas de 24 Gb cada una.
Los desafíos técnicos de CXMT para fabricar su memoria HBM3E
El obstáculo principal que enfrenta la firma radica en la falta de madurez de su tecnología de vías a través del silicio (TSV), logrando apenas un 30% de obleas útiles en la etapa inicial de manufactura y cerca de un 70% de éxito adicional sobre esa base durante el empaquetado posterior.
Mientras gigantes del sector como Samsung emplean unas 5.000 vías por capa en sus módulos HBM2 y SK hynix supera las 8.000 en la generación HBM3, los registros indican que el productor asiático intenta construir su memoria HBM3E utilizando únicamente 3.000 conexiones por nivel dentro de una estructura de 8 capas, lo que hace muy poco probable que puedan dar el salto hacia variantes de mayor capacidad con 12 alturas en el corto plazo mientras resuelven estos problemas de ingeniería.
De hecho, diversas fuentes cercanas al reporte aseguran que el rendimiento real de estos componentes se asemeja más a la generación HBM3 anterior de SK hynix que a las versiones avanzadas del mercado actual.
Pese a ello, la empresa ya comenzó a enviar dos variantes a sus clientes, incluyendo un diseño estándar y otro actualizado con ajustes que buscan superar una tasa de aprovechamiento que hoy ronda apenas el 20%, un margen reducido que resulta aceptable temporalmente mientras perfeccionan sus líneas de ensamblaje para abastecer a los desarrolladores locales de chips que necesitan con urgencia estos suministros para sus equipos.