Micron ha presentado en el Mobile World Congress 2025 sus nuevas soluciones de almacenamiento UFS 4.1 y UFS 3.1, basadas en la arquitectura G9, con el objetivo de mejorar el rendimiento de los smartphones insignia y potenciar sus funciones de inteligencia artificial. Estos chips estarán disponibles poco después del lanzamiento de su memoria 1y LPDDR5X a principios de 2026.
Los nuevos módulos de almacenamiento, con capacidades de 256 GB a 1 TB, ofrecen mejoras en eficiencia energética y velocidades de lectura y escritura, lo que los hace ideales para dispositivos ultradelgados y plegables. Además, Micron ha implementado varias optimizaciones de software para mejorar la gestión de datos y el rendimiento en tareas de IA.
Entre las innovaciones clave, Zoned UFS reduce la amplificación de escritura para optimizar la lectura y escritura de datos, mientras que Data Defragmentation mejora en 60% la eficiencia de reubicación de datos. La función Pinned WriteBooster permite un acceso más rápido a los datos almacenados en la memoria intermedia, acelerando la velocidad en 30%. Finalmente, Intelligent Latency Tracker, presente en ambas versiones, analiza registros de latencia para optimizar la depuración automática del sistema.
Con estos avances, Micron busca consolidar su liderazgo en el mercado de almacenamiento móvil, ofreciendo soluciones avanzadas para la próxima generación de smartphones con capacidades mejoradas de inteligencia artificial.
